联电表示,很多人认为联电是逻辑技术公司,没有 DRAM 的知识或经验,但这不是事实,在 1996 年~ 2010 年期间,联电也投入 DRAM 产品的技术开发,高峰时内部的 DRAM 团队人数超过 150 人,现任联席 CEO 之一的简山杰在 1996 年时即是 DRAM 产品的 RAM 制程开发经理,且在 2009 年,联电也开发属于自己的嵌入式 DRAM 制程技术,这比制造标准型 DRAM 的过程要复杂得多。
联电也强调,与晋华合作的 DRAM 技术开发项目,研发团队成员接近 300 人,但只有不到 10%的人曾在美光公司工作过。
美方则是认为,晋华、联电开发的 DRAM 技术中,所掌握到的一些元件特性是无法通过切割芯片元件,用逆向工程(Reverse Engineering)的方式来取得,尤其是一些元件物理特性的掌握,必须要经过多次的实验、试错才能获得正确的答案,但晋华、联电得出结果的过程太容易,美方认为当中有使用到非法取得技术的嫌疑。
但联电明确指出,其开发的 DRAM 技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计,公司所开发的记忆胞架构是 3x2 布局的储存单元,这与美光公司的 2x3 布局的储存单元是完全不同的。